リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

大学・研究所にある論文を検索できる 「Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg」の論文概要。リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。
リケラボ

コピーが完了しました

URLをコピーしました

論文の公開元へ論文の公開元へ
書き出し

Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg

Lu, Shun Deki, Manato Wang, Jia Ohnishi, Kazuki Ando, Yuto Kumabe, Takeru Watanabe, Hirotaka Nitta, Shugo Honda, Yoshio Amano, Hiroshi 名古屋大学

2021.12.13

概要

We have demonstrated a fabrication process for the Ohmic contact on low-doping-density p-type GaN with nitrogen-annealed Mg. An Ohmic contact with a contact resistance of 0.158 X cm2 is realized on p—-GaN ([Mg] = 1.3 × 1017 cm—3). The contact resistance of p-type GaN with higher Mg concentration ([Mg]=1.0 × 1019 cm—3) can also be reduced to 2.8 × 10—5 X cm2. A localized contact layer is realized without any etching or regrowth damage. The mechanism underlying this reduced contact resistance is studied by scanning transmission electron microscopy with energy dispersive x-ray spectroscopy and secondary ion mass spectrometry, representing a mutual diffusion of Ga and Mg atoms on the interface. Reductions in the barrier height and surface depletion width with the nitrogen-annealed Mg layer are con- firmed by XPS and Hall effect measurements qualitatively.

論文の公開元へ

この論文で使われている画像

関連論文

関連論文をもっと見る

参考文献

1. H. Amano, Y. Baines, E. Beam, M. Borga, T. Bouchet, R. Chu, C. D. Santi et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 163001 (2018).

2. S. T. Sheppard, K. Doverspike, W. L. Pribble, S. T. Allen, J. W. Palmour, L. T. Kehias, and T. J. Jenkins, IEEE Electron Device Lett. 20, 161 (1999).

3. Z. Zheng, L. Zhang, W. Song, S. Feng, H. Xu, J. Sun, S. Yang, T. Chen, J. Wei, and K. J. Chen, Nat. Electron. 4, 595 (2021).

4. S. Kawasaki, Y. Ando, M. Deki, H. Watanabe, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, M. Arai, and H. Amano, Appl. Phys. Express 14, 046501 (2021).

5. H. Xing, P. M. Chavarkar, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 24, 141 (2003).

6. W. Li, K. Nomoto, K. Lee, S. M. Islam, Z. Hu, M. Zhu, X. Gao, M. Pilla, D. Jena, and H. G. Xing, IEEE Trans. Electron Devices 65, 2558 (2018).

7. Q. Z. Liu and S. S. Lau, Solid State Electron 42, 677 (1998).

8. G. Greco, F. Iucolano, and F. Roccaforte, Appl. Surf. Sci. 383, 324 (2016).

9. B. P. Luther, S. E. Mohney, T. N. Jackson, M. Asif Khan, Q. Chen, and J. W. Yang, Appl. Phys. Lett. 70, 57 (1997).

10. B. Van Daele, G. Van Tendeloo, W. Ruythooren, J. Derluyn, M. R. Leys, and M. Germain, Appl. Phys. Lett. 87, 061905 (2005).

11. J. K. Sheu, Y.-K. Su, G.-C. Chi, P. L. Koh, M. J. Jou, C. M. Chang, C. C. Liu, and W. C. Hung, Appl. Phys. Lett. 74, 2340 (1999).

12. D. Qiao, L. S. Yu, S. S. Lau, J. Y. Lin, H. X. Jiang, and T. E. Haynes, J. Appl. Phys. 88, 4196 (2000).

13. J.-K. Ho, C.-S. Jong, C. C. Chiu, C.-N. Huang, C.-Y. Chen, and K.-K. Shih, Appl. Phys. Lett. 74, 1275 (1999).

14. N. Chowdhury, J. Lemettinen, Q. Xie, Y. Zhang, N. S. Rajput, P. Xiang, K. Cheng, S. Suihkonen, H. W. Then, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 40, 1036 (2019).

15. N. Chowdhury, Q. Xie, M. Yuan, N. S. Rajput, P. Xiang, K. Cheng, H. W. Then, and T. Palacios, in IEEE International Electron Devices Meeting (IEEE, 2019), pp. 4.6.1–4.6.4.

16. F. Liang, D. Zhao, D. Jiang, Z. Liu, J. Zhu, P. Chen, J. Yang, W. Liu, X. Li, S. Liu, Y. Xing, L. Zhang, H. Yang, H. Long, and M. Li, J. Cryst. Growth 467, 1–5 (2017).

17. X. A. Cao, S. J. Pearton, A. P. Zhang, G. T. Dang, F. Ren, R. J. Shul, L. Zhang, R. Hickman, and J. M. Van Hove, Appl. Phys. Lett. 75, 2569 (1999).

18. T. Kumabe, Y. Ando, H. Watanabe, M. Deki, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 60, SBBD03 (2021).

19. K. Fu, H. Fu, H. Liu, S. R. Alugubelli, T.-H. Yang, X. Huang, H. Chen, I. Baranowski, J. Montes, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Lett. 113, 233502 (2018).

20. K. Fu, H. Fu, X. Deng, P. Y. Su, H. Liu, K. Hatch, C. Y. Cheng, D. Messina, R. V. Meidanshahi, P. Peri, C. Yang, T. H. Yang, J. Montes, J. Zhou, X. Qi, S. M. Goodnick, F. A. Ponce, D. J. Smith, R. Nemanich, and Y. Zhao, Appl. Phys. Lett. 118, 222104 (2021).

21. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998).

22. S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh, and N. Iwasa, Jpn. J. Appl. Phys., Part II 31, L139 (1992).

23. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (IEEE, 2006), pp. 127–184.

24. S. Ogawa, H. Niwa, K. Nakanishi, T. Ohta, and S. Yagi, J. Surf. Anal. 17, 319 (2011).

25. S. Wang, X. Chen, X. Liu, Z. Chen, X. Liu, J. Zhao, L. Qiu, L. Hou, and Y. Gao, Thin Solid Films 711, 138271 (2020).

26. C. C. Chen, J. L. Yen, and Y. J. Yang, in Conference on Lasers and Electro- Optics (Optical Society of America, 2001), p. CTuW6.

27. P. John, P. Venn´egue`s, H. Rotella, C. Deparis, C. Lichtensteiger, and J. Zu´n~iga- P´erez, J. Appl. Phys. 129, 095303 (2021).

28. C. J. Pan and G. C. Chi, Solid-State Electron. 43, 621 (1999).

29. M. A. Reshchikov, M. Vorobiov, O. Andrieiev, K. Ding, N. Izyumskaya, V. Avrutin, A. Usikov, H. Helava, and Y. Makarov, Sci. Rep. 10, 2223 (2020).

30. S. B. Herner, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3593 (1996).

31. M. Rei Vilar, J. El Beghdadi, F. Debontridder, R. Artzi, R. Naaman, A. M. Ferraria, and A. M. Botelho do Rego, Surf. Interface Anal. 37, 673 (2005).

32. T. Hashizume, J. Appl. Phys. 94, 431 (2003).

33. J. Wang, S. Lu, W. Cai, T. Kumabe, Y. Ando, Y. Liao, Y. Honda, Y.-H. Xie, and H. Amano, IEEE Electron Device Letters 43, 1 (2022).

参考文献をもっと見る