リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

大学・研究所にある論文を検索できる 「Vertical GaN p+-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy」の論文概要。リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。
リケラボ

コピーが完了しました

URLをコピーしました

論文の公開元へ論文の公開元へ
書き出し

Vertical GaN p+-n junction diode with ideal avalanche capability grown by halide vapor phase epitaxy

Ohnishi, Kazuki Kawasaki, Seiya Fujimoto, Naoki Nitta, Shugo Watanabe, Hirotaka Honda, Yoshio Amano, Hiroshi 名古屋大学

2021.10.12

概要

A vertical GaN p+-n junction diode with an ideal breakdown voltage was grown by halide vapor phase epitaxy (HVPE). A steep p+-n interface was observed even with the use of the HVPE method. No Si-accumulating layer was formed at the p+-n interface because of the continuous HVPE growth from the n-type drift layer to the p-type layer. This method provides improved electrical properties compared with the regrowth of p-type GaN layers. The minimum ideality factor of approximately 1.6 was obtained. The breakdown voltage increased from 874 to 974 V with the increase in the temperature from 25 to 200 ◦C, which suggests that avalanche multiplication causes the break- down. The temperature-dependent breakdown voltage was in good agreement with the breakdown voltage calculated using the ideal critical electric field. These results indicate that HVPE is promising for the fabrication of vertical GaN power devices.

論文の公開元へ

この論文で使われている画像

関連論文

関連論文をもっと見る

参考文献

1 T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 53, 100210 (2014).

2 T. Maeda, T. Narita, S. Yamada, T. Kachi, T. Kimoto, M. Horita, and J. Suda,J. Appl. Phys. 129, 185702 (2021).

3 H. Fujikura, T. Konno, T. Kimura, Y. Narita, and F. Horikiri, Appl. Phys. Lett.117, 012103 (2020).

4 J. Koln´ık, I_H. O˘guzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang,J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).

5 Y. Saitoh, K. Sumiyoshi, M. Okada, T. Horii, T. Miyazaki, H. Shiomi, M. Ueno,K. Katayama, M. Kiyama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 081001 (2010).

6 W. Li, K. Nomoto, M. Pilla, M. Pan, X. Gao, D. Jena, and H. G. Xing, IEEETrans. Electron Devices 64, 1635 (2017).

7 M. Kanechika, M. Sugimoto, N. Soejima, H. Ueda, O. Ishiguro, M. Kodama, E. Hayashi, K. Itoh, T. Uesugi, and T. Kachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 46, L503 (2007).

8 T. Oka, T. Ina, Y. Ueno, and J. Nishii, Appl. Phys. Express 8, 054101 (2015).

9 H. Hatakeyama, K. Nomoto, N. Kaneda, T. Kawano, T. Mishima, and T. Nakamura, IEEE Electron Device Lett. 32, 1674 (2011).

10 K. Nomoto, B. Song, Z. Hu, M. Zhu, M. Qi, N. Kaneda, T. Mishima, T.Nakamura, D. Jena, and H. G. Xing, IEEE Electron Device Lett. 37, 161 (2016).

11 I. C. Kizilyalli, T. Prunty, and O. Aktas, IEEE Electron Device Lett. 36, 1073 (2015).

12 G. Piao, K. Ikenaga, Y. Yano, H. Tokunaga, A. Mishima, Y. Ban, T. Tabuchiand K. Matsumoto, J. Cryst. Growth 456, 137 (2016).

13 N. Sawada, T. Narita, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, Appl. Phys. Express 11, 041001 (2018).

14 J. L. Lyons, A. Janotti, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 97, 152108(2010).

15 D. O. Demchenko, I. C. Diallo, and M. A. Reshchikov, Phys. Rev. Lett. 110, 087404 (2013).

16 J. L. Lyons, A. Janotti, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 89, 035204 (2014).

17 T. Narita, K. Tomita, Y. Tokuda, T. Kogiso, M. Horita, and T. Kachi, J. Appl. Phys. 124, 215701 (2018).

18 K. Fujito, S. Kubo, H. Nagaoka, T. Mochizuki, H. Namita, and S. Nagao,J. Cryst. Growth 311, 3011 (2009).

19 H. Fujikura, T. Yoshida, M. Shibata, and Y. Otoki, Proc. SPIE 10104, 1010403 (2017).

20 R. P. Tompkins, M. R. Khan, R. Green, K. A. Jones, and J. H. Leach, J. Mater.Sci.: Mater. Electron. 27, 6108 (2016).

21 H. Fujikura, K. Hayashi, F. Horikiri, Y. Narita, T. Konno, T. Yoshida, H. Ohta, and T. Mishima, Appl. Phys. Express 11, 045502 (2018).

22 P. Kruszewski, P. Prystawko, M. Grabowski, T. Sochacki, A. Sidor, M.Bockowski, J. Jasinski, L. Lukasiak, R. Kisiel, and M. Leszczynski, Mater. Sci. Semicond. Process 96, 132 (2019).

23 H. Fujikura, T. Konno, T. Yoshida, and F. Horikiri, Jpn. J. Appl. Phys., Part 156, 085503 (2017).

24 K. Kanegae, H. Fujikura, Y. Otoki, T. Konnno, T. Yoshida, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, Appl. Phys. Lett. 115, 012103 (2019).

25 T. Kimura, T. Konnno, and H. Fujikura, Appl. Phys. Lett. 118, 182104 (2021).

26 H. Xing, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 97, 113703 (2005).

27 G. Koblmu€ller, R. M. Chu, A. Raman, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Appl.Phys. 107, 043527 (2010).

28 K. Fu, H. Fu, H. Liu, S. R. Alugubelli, T.-H. Yang, X. Huang, H. Chen, I. Baranowski, J. Montes, F. A. Ponce, and Y. Zhao, Appl. Phys. Lett. 113, 233502 (2018).

29 K. Fu, H. Fu, X. Deng, P.-Y. Su, H. Liu, K. Hatch, C.-Y. Cheng, D. Messina, R.V. Meidanshahi, P. Peri, C. Yang, T.-H. Yang, J. Montes, J. Zhou, X. Qi, S.M. Goodnick, F. A. Ponce, D. J. Smith, R. Nemanich, and Y. Zhao, Appl. Phys. Lett. 118, 222104 (2021).

30 K. Ohnishi, Y. Amano, N. Fujimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Appl.Phys. Express 13, 061007 (2020).

31 K. Ohnishi, Y. Amano, N. Fujimoto, S. Nitta, H. Watanabe, Y. Honda, and H. Amano, J. Cryst. Growth 566–567, 126173 (2021).

32 T. Kimura, K. Ohnishi, Y. Amano, N. Fujimoto, M. Araidai, S. Nitta, Y.Honda, H. Amano, and K. Shiraishi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 59, 088001 (2020).

33 H. Fukushima, S. Usami, M. Ogura, Y. Ando, A. Tanaka, M. Deki, M.Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Appl. Phys. Express 1, 026502 (2019).

34 H. Fukushima, S. Usami, M. Ogura, Y. Ando, A. Tanaka, M. Deki, M.Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 58, SCCD25 (2019).

35 Y. Ohba and A. Hatano, J. Cryst. Growth 145, 214 (1994).

36 Z. Hu, K. Nomoto, B. Song, M. Zhu, M. Qi, M. Pan, X. Gao, V. Protasenko, D. Jena, and H. G. Xing, Appl. Phys. Lett. 107, 243501 (2015).

37 J. R. Dickerson, A. A. Allerman, B. N. Bryant, A. J. Fischer, M. P. King, M. W.Moseley, A. M. Armstrong, R. J. Kaplar, I. C. Kizilyalli, O. Aktas, an J. Wierer, IEEE Trans. Electron Devices 63, 419 (2016).

38 S. Usami, Y. Ando, A. Tanaka, K. Nagamatsu, M. Deki, M. Kushimoto, S.Nitta, Y. Honda, H. Amano, Y. Sugawara, Y.-Z. Yao, and Y. Ishikawa, Appl. Phys. Lett. 112, 182106 (2018).

39 S. Kawasaki, Y. Ando, M. Deki, H. Watanabe, A. Tanaka, S. Nitta, Y. Honda,M. Arai, and H. Amano, Appl. Phys. Express 14, 046501 (2021).

40 I. C. Kizilyalli, A. P. Edwards, H. Nie, D. Bour, T. Prunty, and D. Disney, IEEE Elecron Device Lett. 35, 247 (2014).

41 T. Maeda, T. Narita, H. Ueda, M. Kanechika, T. Uesugi, T. Kachi, T. Kimoto,M. Horita, and J. Suda, in IEDM Technical Digest (IEEE, 2018), pp. 30.1.1.

42 S. Usami, A. Tanaka, H. Fukushima, Y. Ando, M. Deki, S. Nitta, Y. Honda, andH. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 58, SCCB24 (2019).

参考文献をもっと見る

全国の大学の
卒論・修論・学位論文
を
一発検索！

この論文の関連論文を見る