中間層による保護膜付きMo/Si多層膜のブリスタ耐性の改善

Fig.6

Schematic of (a) hydrogen-induced blister

formation process in the Mo/Si multilayer without

intermediate layer, (b) hydrogen permeation process in

the Mo/Si with intermediate layer

出てきたものを質量分析することによって，各元素の

深さ分布を知ることができる．SIMS分析の結果をま

とめたものをFig.5に示す．SIMS分析は二層保護膜の

未使用基板と12時間実験後基板，中間層Pの保護膜の

未使用基板と12時間実験後基板の4種類を計測した．

なお，SIMS解析での深さは基板内の第一Mo層を基準

に補正した．

Fig.5より，中間層がない場合，12時間実験後では中

間層がある場合よりも深い位置で，濃度の高い水素が

検出されている．このことから，中間層がない場合で

は，Fig.6(a)に示すように，保護膜と多層膜の間の欠

陥に水素分子が蓄積されブリスタが形成されたと考え

られる．一方で中間層がある場合は，Fig6(b)に示すよ

うに，保護膜と多層膜の間の欠陥が無いため水素は蓄

積されることなく多層膜や基板を通り，表面から抜け

ていき，ブリスタは形成されなかったと考えられる．

4. 結

これらの試験の結果から，以下の結論を得た．

1) T. Yamazaki et al., H. Proc. SPIE 9422, 94222 (2015).

2) A. Dolgov et al., J. Phys. D, Appl. Phys. 47, 065205

(2014).

3) D. T. Elg et al., Plasma Chem. Plasma Process. 38,

223 (2018).

4) A. Endo, J. Mod. Phys. 5, 285 (2014).

5) M. van de Kerkhof et al., Proc. SPIE 11323, 113230

(2020).

6) A. S. Kuznetsov et al., Proc. SPIE 8077, (2011).

7) A. S. Kuznetsov et al., J. Phys. Condens. Matter. 24,

052203 (2012).

8) A. S. Kuznetsov et al., J. Appl. Phys. 114, 113507

(2013).

9) A. S. Kuznetsov et al., J. Appl. Phys. 115, 173510

(2014).

10) R. A. J. M. van den Bos et al., J. Appl. Phys. 120,

235304 (2016).

11) R. A. J. M. van den Bos et al., J. Phys. D Appl. Phys.

50, 265302 (2017).

12) R. A. J. M. van den Bos et al., J. Phys. D: Appl. Phys.

51, 115302 (2018).

13) D. T. Elg, et al., J. Vac. Sci. Technol. A 34, 021305

(2016).

14) S. Bajt, et al., Proc. SPIE 5037, Emerging

Lithographic Technologies VII (2003).

15) N. Benoit, et al., Appl. Opt. 47, 3455 (2008).

16) T. Feigl, et al., Proc. SPIE 8679, 86790 (2013).

17) R. C. Ribera, et al., Appl. Phys. 188, 055303 (2015).

18) K. Kato, et al., J. Math. Phys. 4, 1811 (2016).

19) W. Takeuchi, et al., Radiat. Eff. 71, 53 (1983).

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