リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

リケラボ 全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索するならリケラボ論文検索大学・研究所にある論文を検索できる

大学・研究所にある論文を検索できる 「安定化格子干渉方式を用いた高精度3次元エンコーダの開発 (本文)」の論文概要。リケラボ論文検索は、全国の大学リポジトリにある学位論文・教授論文を一括検索できる論文検索サービスです。

コピーが完了しました

URLをコピーしました

論文の公開元へ論文の公開元へ
書き出し

安定化格子干渉方式を用いた高精度3次元エンコーダの開発 (本文)

田宮, 英明 慶應義塾大学

2021.09.21

概要

第 1 章では,回折格子からなる 2 次元スケールを用いた 3 次元エンコーダによるステージ制御において,従来の技術では,Z 軸上の変位によって検出光路内の互いに干渉するビームの光路長差 LZ を基本的に発生させないという観点で検討されておらず,Z 軸上の変位検出において,安定かつ高精度な変位検出に課題があった.したがって検出光路内の互いに干渉するビームの光路長差をキャンセルできる格子干渉式の特徴を応用し,Z 軸上の変位検出において検出光路の光路長が変化しない原理の提案と解析,そして格子干渉計の開発を行うことで,3 次元エンコーダの実現させることを目的とした.

また本論文の構成は,既存の XY 軸上の変位検出における格子干渉計と新たに開発した Z軸上の変位検出における格子干渉計を組み合わせた方法と,新たに開発した XZ 軸上の変位検出における格子干渉計を YZ 軸上にも適用させた方法の 2 種類の 3 次元エンコーダの実現性の検討を行い,それぞれの方法がどのような特徴を持ち,従来方法に対する優位性と課題について,検証データをもとに結論を出すこととした.

第 2 章で既存の XY 軸上の変位検出における格子干渉計について,マグネスケール社製のレーザスケールと 2 次元スケールを用いて格子干渉計の安定性,内挿精度,2 次元スケールの精度,リニアリティの確認を行い,1 h で平均値± 0.2 nm の安定性と 15 pm 以下の内挿精度,1 mm あたり 0.2 nm のリニアリティを確認した.一方,2 次元スケールの正規直交性については,精度確認結果から 90° ± 0.001 mrad であることを確認し,将来的に 2 次元スケールを用いた直交度計測方法として産業機器の高精度化に貢献できることを確信した.

第 3 章では Z 軸上の変位検出における格子干渉計を新たに開発し,実装させることで性能を確認した.結果は,8.4 pm の検出分解能と,8 mm の Z 軸検出範囲を実現と,1 h で平均値± 0.7 nm の安定性と,0.5 mm あたり平均値± 1.6 nm のリニアリティが得られていることを確認した.

第 4 章では,新規に XZ 軸上の変位検出における格子干渉計を提案し,実装させることで性能を確認した結果,X 軸上の変位検出で 30.5 pm,Z 軸上の変位検出で 30.5 pm の検出分解能と,1 mm の Z 軸上の変位検出範囲と,X 軸上の変位検出で平均値± 3.5 nm,Z 軸上の変位検出で平均値± 6.5 nm のリニアリティと,X 軸上の変位検出で平均値± 0.3 nm,Z 軸上の変位検出で平均値± 0.7 nm の 1 h の安定性と,90° ± 0.01 mrad の XY 平面に対する Z 軸上の変位検出における正規直交性を確認した.

第 5 章では,既存の XY 軸上の変位検出における格子干渉計と開発した Z 軸上の変位検出における格子干渉計を組み合わせた 3 次元エンコーダと,XZ 軸上の変位検出における格子干渉計を YZ 軸上に適用した 3 次元エンコーダについて,これまでの検証結果をもとに基本性能を比較し考察した結果,XY 軸上の変位検出における格子干渉計と Z 軸上の変位検出における格子干渉計を組み合わせた構成の実現性が高く,高分解能と高い安定性を両立した XYZ 軸上の変位検出が可能になることが分かった.一方,XZ 軸上の変位検出における格子干渉計を YZ 軸上にも適用した方法は,格子干渉計の光路の往復路において,2 次元スケール上の入射位置を近づけることで,ステージの姿勢変化による誤差発生を軽減させリニアリティを改善すれば,実現性は非常に高くなり,2 次元スケール上で XYZ 軸上の検出位置が一致している構造上,数ミリの範囲で 6 自由度制御を行うような微動ステージなどの,狭い空間の変位情報を取得る場面で,優位性を発揮するという結論に達した.

本研究においては,3 次元エンコーダの高精度化に向けて,安定した Z 軸上の変位検出を実現する格子干渉計の提案と開発が特徴となっている.Z 軸上の変位検出における格子干渉計として,本研究で新たに提案した検出光路内の互いに干渉するビームの光路長差を発生させない原理は,大気中の温度や気圧,湿度の変化に対して,その影響を抑制させるだけではなく,温度変化による光源の波長変化が大きい安価な半導体レーザでも使用でき,さらに可干渉性の低い光源を使用しても広い計測範囲が得られるため,幅広い分野に応用できる.従来技術で多く利用されている He-Ne レーザを光源とした光波干渉計と比較して,計測条件を温度変化 1℃,気圧変化 30 hPa,湿度変化 10 %,計測範囲 1 mm としたとき,本格子干渉計は 1 / 8 の安定性を安価な半導体レーザで実現できることになり,また,計測範囲が 2 倍に広くなると,光波干渉計との安定性の差は 1 / 16 に拡大し優位性がさらに増す.この原理提案方法を 3 次元計測の分野に導入することにより,特に進歩が著しい半導体製造装置において重要視されるステージのピッチ,ロール,ヨーの姿勢制御の精度を上げ,露光や検査の精度を上げ微細化を促す.これによって将来的に個人用デバイス,サーバ,人工知能,次世代移動通信,自動運転,パワーデバイスによるクリーンエネルギーといった半導体を用いたアプリケーションの発展に寄与すると考える.

この論文で使われている画像

参考文献

[1] Gordon Earle Moore, “Cramming more components onto integrated circuits”, Electronics, 8, pp. 114, (1965).

[2] Martin van den brink, “Industry Roadmap and Technology Strategy”, ASML SMALL TALK , URL; https://www.asml.com, pp. 1-26, (2018).

[3] Jan van Schoot, Jos Benschop, Sjoerd Lok, Eelco van Setten, Ruben Maas, Kars Troost, Jo Finders, Paul Graeupner, “High-NA EUV Lithography Exposure Tool for EUV roadmap extension”, EUV-FEL Workshop, URL; https://conference-indico.kek.jp, pp. 1-44, (2021).

[4] 石内秀美, “ITRS 2005 Edition 国際半導体技術ロードマップ”, JEITA Review, pp. 22-25, (2006).

[5] 中馬宏之, “わが国半導体露光装置産業が直面する複雑性と組織限界”, 光学, 34 巻, 8 号, pp. 388-395, (2005).

[6] Hikida Yujiro, Hayakawa Akira, Teshima Yoshihiro, Dosho Tomonori, Kasai Noriaki, Yoda Yasushi, Masaki Kazuo, Shibazaki Yuichi, “Enhancement of ArF immersion scanner system for advanced device node manufacturing”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 10587, (2018).

[7] Ito Takashi, Okazaki Shinji, “Pushing the limits of Lithography”, NATURE, Vol. 406, pp. 1027- 1028, (2000).

[8] 溝口計, “半導体露光用 EUV 光源開発の進展と最新動向”, ギガフォトン株式会社ホームページ URL; http://www.gigaphoton.com/, pp. 1-6, (2012).

[9] 姜帥現, 井上壮一, “半導体デバイスの微細化を実現するEUV リソグラフィ技術”, 東芝レビュー, Vol. 67, No. 4, pp. 36-40, (2012).

[10] 村上勝彦, “使用波長による光学系の計測評価”, 精密工学会誌, Vol. 64, No. 7, pp. 987-990, (1998).

[11] 溝口計, 斎藤隆志, 伊藤仙恥, 山崎卓, “半導体製造用短波長光源 エキシマレーザから LPP-EUV 光源への挑戦”, KOMATUS TECHNICAL REPORT, Vol. 62, No. 169, PP. 27-37, (2016).

[12] 岡崎信次, “EUV 露光技術の開発と放射光の役割”, 放射光, Vol. 18, No. 3, pp. 128-135, (2005).

[13] 廣田義人, “半導体露光装置ステッパーの開発 普及とその要因”, 技術と文明, 12 巻, 2 号, pp. 27-52, (2001).

[14] 村上勝彦, “縮小露光光学系・照明光学系の設計”, 精密工学会誌, Vol. 64, No. 7, pp. 991-995, (1998).

[15] Celine Lapeyre, Sebastien Barnola, Isabelle Servin, Stephanie Gaugiran, Vincent Salvetat, Magome Nobutaka, Andrew J. Hazelton, Martin McCallum, “Impact of CD and overlay errors on double-patterning processes”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 7274, (2009).

[16] 東木達彦, 大西廉伸, “半導体リソグラフィ技術の動向と東芝の取組み”, 東芝レビュー, Vol. 67, No. 4, pp. 2-6, (2012).

[17] Prasad Dasari, Jie Li, Jiangtao Hu, Nigel Smith, Oleg Kritsun, “Diffraction Based Overlay Metrology for Double Patterning Technologies”, Recent Advances in Nanofabrication Techniques and Applications, pp. 433-454, (2011)

[18] 小谷敏也, 間下浩充, 宇野太賀, “半導体デバイスの微細化を支える OPC 技術と DFM 技術”, 東芝レビュー, Vol. 67, No. 4, pp. 11-15, (2012).

[19] 川口幸男, “次世代リソグラフィ技術に応用するブロックコポリマーの重合技術”, Readout, No. 47, pp. 28-31, (2016).

[20] Azuma Tsukasa, Seino Yuriko, Sato Hironobu, Kasahara Yusuke, Kobayashi Katsutoshi, Kubota Hitoshi, Kanai Hideki, Kodera Katsuyoshi, Kihara Naoko, Kawamonzen Yoshiaki, Minegishi Shinya, Miyagi Ken, Yamano Hitoshi, Tobana Toshikatsu, Shiraishi Masayuki, Nomura Satoshi, “Fabrication of Sub-10 nm Metal Wire Circuits using Directed Self-Assembly of Block Copolymers”, Journal of Photopolymer Science and Technology, Vol. 29, No. 5, pp. 647-652, (2016).

[21] 岡崎信次, “光リソグラフィー技術の限界と極紫外線リソグラフィー技術への期待”, 光学, 41 巻, 3 号, pp. 116-124, (2012).

[22] 石内秀美, “2008 年度 STRJ 年度報告書”, 半導体技術ロードマップ専門委員会, 第 6 章, pp. 1-20, (2008).

[23] 後藤太邦, 湯浅匡夫, “半導体露光装置の制御技術”, 計測と制御, 第 52 巻, 第 5 号, pp. 425-429, (2013).

[24] Uehara Yusaku, Ishikawa Jun, Kohno Hirotaka, Tanaka Eiichiro, Ohba Masanori, Shibazaki Yuichi, “Immersion and dry ArF scanners enabling 22 nm HP production and beyond”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 8326, (2012).

[25] 稲秀樹, “リソグラフィ用半導体露光装置におけるウェハアライメント計測の高精度化の研究”, 電気通信大学大学院博士論文, pp. 2-22, (2007).

[26] 赤津利雄, “精密位置決め用変位センサーの現状と問題点”, 光学, 22 巻 6 号, pp.329-334, (1993).

[27] Ralf K Heilmann, Carl G Chen, Paul T Konkola, Mark L Schattenburg, “Dimensuonal metrology for nanometre-scale science and engineering: towards sub-nanometre accurate encoders”, Nanotechnology, 5, pp. 504-511, (2004).

[28] Shibazaki Yuichi, Kohno Hirotaka, Hamatani Masato, “An innovative platform for high- throughput high-accuracy lithography using a single wafer stage”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 7274, (2009).

[29] 柴崎祐一, 特許, 世界知的所有権機関国際事務局, WO 2008 / 026739, (2008).

[30] ASML, 特許, 日本特許庁, 特開2007-318119, (2007).

[31] 柴崎祐一, “露光装置”, 半導体微細パターニング, 第Ⅰ編, 第 1 章, pp. 11-20, (2017).

[32] Jan Mulkens, Michael Hanna, Hannah Wei, Vidya Vaenkatesan, Henry Megens, Daan Slotboom, “Overlay and edge placement control strategies for 7nm node using EUV and ArF lithography”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 9422, (2015).

[33] 村上勝彦, 岡崎信次, “EUV リソグラフィと露光装置”, J. Plasma Fusion Res., Vol. 79, No. 3, pp. 221-225, (2003)

[34] Skip Miller, “Holistic View of Lithography for Double Patterning”, Sokudo Litho Breakfast Forum 2009, URL; https://www.screen.co.jp/, pp. 7, (2009).

[35] 松山知行, “液浸リソグラフィーにおける結像特性の考察”, 光学, 34 巻, 3 号, pp. 151-153, (2005).

[36] Mark van de Kerkhof, Hans Jasper, Leon Levasier, Rudy Peeters, Roderik van Es, Jan-Willem Bosker, Alexander Zdravkov, Egbert Lenderink, Fabrizio Evangelista, Par Broman, Bartosz Bilski, Thorsten Last, “Enabling sub-10nm node lithography, presenting the NXE: 3400B EUV scanner”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 10143, (2017).

[37] Bo Jou Lu, E T Anson Zeng, Aroma Tseng, Steven Wu, Bill Lin, Chun Chi Yu, “Line Width Roughness (LWR) Performance of Novel Surface Conditioner Solution for Immersion Lithography”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 6923, (2008).

[38] Rudy Peeters, Sjoerd Lok, Erwin van Alphen, Noreen Harned, Peter Kuerz, Martin Lowisch, Henk Meijer, David Ockwell, Eelco van Setten, Guido Schiffelers, Jan-Willen van der Horst, Judon Stoeldraijer, Robert Kazinczi, Richard Droste, Hans Meiling, Ron Kool, “ASML’s NXE platform performance and volume introduction”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 8679, (2013).

[39] Timothy A. Brunner, Xuemei Chen, Allen Gabor, Craig Higgins, Lei Sun, Chris A. Mack, “Line- Edge Roughness performance targets for EUV Lithography”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 10143, (2017).

[40] Hoyoung Kang, “Novel assist feature design to improve depth of focus in low k1 EUV Lithography”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 17520, (2009).

[41] John E. Bjorkholm, “EUV Lithography The Successor to Optical Lithography?”, Intel Technology Journal, Q3, pp. 1-8, (1998)

[42] C. Zahlten, P. Graupner, J. van Schoot, P. Kurz, J. Stoeldraijer, W. Kaiser, “High-NA EUV lithography pushing the limits”, SPIE Advanced Lithography, SPIE vol. 11177, (2019).

[43] 篠原昭, “モアレ縞の幾何学”, 繊維工学, Vol. 37, No. 6, (1984).

[44] 谷口佳代子, 山本英生, “ホログラムスケールとその応用”, 光技術コンタクト, Vol. 30, No.6, pp. 311-318, (1992).

[45] Andrew Yacoot, Nigel Cross, “Measurement of picomater non-linearity in an optical grating encoder using x-ray interferometry”, Meas. Sci. Technol., 14, pp. 148-152, (2003).

[46] 鈴木紀和, “高分解能センサの現状”, 精密工学会誌, Vol. 67, No. 7, (2001).

[47] 鍋島信雄, 特許, 日本特許庁, 特開平 9-68407, (1995).

[48] 高偉, 特許, 日本特許庁, 特開2007-304039, (2007)

[49] Gao Wei, Kimura Akihide, “A Three-axis Displacement Sensor with Nanometric Resolution”, CIRP Annals – Manufacturing Technology, 56, pp. 529-532, (2007).

[50] ヴォルフガング・ホルツアプフェル, 特許, 日本特許庁, 特開2007-78687, (2007).

[51] 田宮英明, 特許, 日本特許庁, 特開 2007-218833, (2007).

[52] 藤森徹, “NC 工作機械の高精度運動制御のためのリニアスケールシステムに関する研究”, 慶應義塾大学大学院博士論文, pp. 72-74, (2014).

[53] 田宮英明, 特許, 日本特許庁, 特開2013-152205, (2013).

[54] Herwig Kogelnik, “Coupled wave Theory for Thick Hologram Grating”, The Bell System Technical Journal, Vol.48, No. 9, pp. 2909-2947, (1969).

[55] 中村勇輔, 見寺祥幸, 田宮英明, 特許, 日本特許庁, 特開2016-14600, (2016).

[56] 田宮英明, 見寺祥幸, 野田航生, 特許, 日本特許庁, 出願2018-208660, (2018).

[57] 新谷真之: “自己校正型 2 次元スケール技術”, 精密工学会誌, Vol. 82, No. 9, pp. 788-791, (2016).

[58] 田宮英明, 新谷真之, “自己校正型 2 次元スケールによるナノメートルレベルのステージ校正”, 光技術コンタクト, Vol. 54, No. 10, pp. 16-21, (2016).

[59] バラン アビブ, 特許, 日本特許庁, 特表 2017-508172, (2017).

[60] 畠山雅規, 村上武司, 渡辺賢治, 狩俣努, 寺尾健二, “EUV マスク欠陥検査に用いる新写像投影(PEM)式電子光学系の製作”, エバラ時報, No. 241, pp. 9-14, (2013).

[61] 磯村育直, 土屋英雄, 菊入信孝, “先端半導体デバイスの製造を支えるマスク欠陥検査装置技術”, 東芝レビュー, Vol. 67, No. 4, pp. 28-31, (2012).

[62] 熊谷和博, “ナノ材用計測のための走査電子顕微鏡法および関連標準物質に関する調査研究”, 産総研計量標準報告, Vol. 9, No. 2, pp. 293-309, (2015).

[63] 中杉哲郎, 河野拓也, 米田郁男, “光ナノインプリントリソグラフィ技術”, 東芝レビュー, Vol. 67, No. 4, PP. 41-43, (2012).

[64] Fukuhara Kazuya, Suzuki Masato, Mitsuyasu Masaki, Kono Takuya, Nakasugi Tetsuro, Yonghyun Lim, Wooyung Jung, “Overlay control for nanoimprint lithography, Proc. of SPIE, SPIE vol. 10144, (2017).

[65] 松寺克樹, 河崎一茂, “TSV 技術を用いた世界初の 16 段積層 NAND 型フラッシュメモリパッケージ”, 東芝レビュー, Vol. 71, No. 6, PP. 20-23, (2016).

[66] 廣瀬智博, “光学部品用金型加工向け超精密加工機の高速・高精度化に関する研究”, 金沢工業大学大学院博士論文, pp. 36-47, (2016).

[67] 竹内芳美, 川北晋一朗, 沢田潔, 佐田登志夫, “超精密フライス加工の研究”, 日本機械学会論文集(C 編), 59 巻, 566 号, pp. 287-292, (1993).

[68] 茨木創一, 後藤渉, 松原厚, 越智玉樹, 浜村実, “交差格子スケールの自己較正法”, 精密工学会誌, Vol. 72, No. 8, pp. 1032-1037, (2006).

参考文献をもっと見る

全国の大学の
卒論・修論・学位論文

一発検索!

この論文の関連論文を見る