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Continuous-wave operation of a 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP transistor laser up to 90 °C

Shoichi Yoshitomi Kentarou Yamanaka Yusei Goto Yuta Yokomura Nobuhiko Nishiyama Shigehisa Arai 東京工業大学 DOI:https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab7ef2

2020.04.02

概要

A transistor laser (TL) is a device that operates at a high-speed with multiple functions such as output control with low wavelength shift and signal mixing. By adopting a high heat dissipation structure with a high-speed compatible wide electrode pad and thick Au plating in TLs, improvement of temperature performance in 1.3 μm wavelength npn AlGaInAs/InP TL was demonstrated. As a result, continuous-wave operation of a 1.3 μm TL up to 90 °C was achieved. The thermal resistance was estimated to be 25 K W−1, based on the spectrum behavior, which is at least four times lower than the previously observed value.

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参考文献

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