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書き出し

爆轟法ナノダイヤモンドの産業応用を目指した材料の開発

間彦, 智明 マヒコ, トモアキ 神戸大学

2021.03.25

概要

Kobe University Repository : Kernel
PDF issue: 2023-03-02

爆轟法ナノダイヤモンドの産業応用を目指した材料
の開発

間彦, 智明
(Degree)
博士(科学技術イノベーション)

(Date of Degree)
2021-03-25

(Date of Publication)
2022-03-01

(Resource Type)
doctoral thesis

(Report Number)
甲第8098号

(URL)
https://hdl.handle.net/20.500.14094/D1008098
※ 当コンテンツは神戸大学の学術成果です。無断複製・不正使用等を禁じます。著作権法で認められている範囲内で、適切にご利用ください。

1









爆轟法ナノダイヤモンドの産業応用を
目指した材料の開発

2020 年 1 月
神戸大学大学院科学技術イノベーション研究科
博士課程後期課程(先端 IT 分野)
間彦

智明

2

目次
1章

序論 ....................................................................................................................... 4

1.1 研究の背景...................................................................................................................................... 4
1.2 ダイヤモンド .................................................................................................................................. 5
1.3 ダイヤモンドの合成法 .................................................................................................................. 5
1.4 ナノダイヤモンド .......................................................................................................................... 7
1.5 爆轟法ナノダイヤモンド開発の歴史 .......................................................................................... 7
1.6 爆轟法ナノダイヤモンド(DND)の製法 ................................................................................. 8
1.6.1

DND 製造プロセスの概要 .................................................................................................... 8

1.6.2 爆薬 ......................................................................................................................................... 10
1.6.3

DND 生成メカニズム .......................................................................................................... 11

1.6.4 株式会社ダイセルにおける DND 開発 ............................................................................... 15
1.7 ナノダイヤモンドの製法と特徴 ................................................................................................ 16
1.8 蛍光ナノダイヤモンド ................................................................................................................ 18
第 1 章 参考文献................................................................................................................................. 20

2 章 爆轟法ナノダイヤモンド(DND)の事業化検討 .......................................... 21
2.1 DND の課題 .................................................................................................................................. 21
2.2 ビジネスモデル構築に向けた検討 ............................................................................................ 21
2.3 事業戦略........................................................................................................................................ 24
2.3.1 外部環境分析「PEST 分析」 ............................................................................................... 24
2.3.2 外部環境分析「競合企業動向」 .......................................................................................... 24
2.3.3 外部環境分析「5 フォース分析」 ....................................................................................... 25
2.3.4 内部環境分析「バリューチェーン分析」 .......................................................................... 27
2.3.5 内部環境分析「VRIO 分析」 ............................................................................................... 27
2.4 技術戦略........................................................................................................................................ 27
2.4.1 SIV-DND の創出及び基本特性の把握 ................................................................................. 27
2.4.2 SIV-DND の用途探索と可能性検証 ..................................................................................... 28
2.4.3 ヘルスケア企業との連携による社会実装に向けた開発の推進 ...................................... 28
2.4.4 要素技術を用途探索に活用するプラットフォーム化 ...................................................... 28
2.5 知財戦略........................................................................................................................................ 30
2.6 財務戦略........................................................................................................................................ 31
第 2 章 参考文献および引用 ............................................................................................................. 32

3

3章

半導体集積回路実装技術への DND の応用 .................................................. 33

3.1 動機と課題.................................................................................................................................... 33
3.1.1 3 次元 IC 集積実装技術......................................................................................................... 33
3.1.2 TSV プロセスと課題 ............................................................................................................. 34
3.1.3 研究の方針 ............................................................................................................................. 36
3.2 電気銅めっき膜の作製 ................................................................................................................ 36
3.3 評価結果........................................................................................................................................ 38
3.3.1 電気銅めっき膜内における DND の存在の確認 ............................................................... 38
3.3.2 電気銅めっき膜の結晶状態 .................................................................................................. 40
3.3.3 電気銅めっき膜の硬度.......................................................................................................... 43
3.3.4 電気銅めっき膜の電気伝導率 .............................................................................................. 44
3.4 考察................................................................................................................................................ 45
3.5 まとめ............................................................................................................................................ 46
第 3 章 参考文献................................................................................................................................. 47

4章

結言 ..................................................................................................................... 48

4.1 イノベーション・ストラテジー研究 ........................................................................................ 48
4.2 科学技術研究 ................................................................................................................................ 48
4.3 今後の展望.................................................................................................................................... 48

謝辞 ................................................................................................................................ 49
研究業績 ........................................................................................................................ 50

4

1章

1.1

序論

研究の背景

ダイヤモンドは宝石の代表格としてよく知られる材料であるだけでなく、機能面におい
ても、地球上で最も硬く、どんな金属よりもよく熱を伝え、電気を通さず、高屈折率を持
つユニークな材料として知られている。その硬度を生かして工業用ダイヤモンドは研磨剤
や切削工具向けに幅広く使われてきた歴史がある。そして近年新たな研究対象としてナノ
サイズのダイヤモンドであるナノダイヤモンド(ND)に大きな注目が集まっている。ND
は単にそれらの特徴をもった小さなダイヤモンドというだけでなく、想像の範囲を超えた
特性、機能を発現するためである。ND の製法として最も効率的な製法が爆薬を原料に用い
る爆轟法である。また爆轟法は生体応用への期待の高い蛍光ナノダイヤモンドの生成も可
能とする。
株式会社ダイセル(以下、当社)ではこれまで約 10 年間爆轟法ナノダイヤモンド
(Detonation NanoDiamond:DND)の技術開発、用途開発を行ってきた。DND の性質に興
味を持ち、国内外において産業界、学術界からのサンプルの引き合いも多く、企業ならび
に大学との共同研究に進展する例も数多くある。本論文では、DND の事業化を加速させる
ことを目的に事業と技術の両面で研究を行いその結果をまとめた。

5

1.2

ダイヤモンド

ダイヤモンドは一つの炭素原子を中心とした正四面体の各頂点に 4 個の炭素原子が位置
し、すべての炭素は隣接する 4 個の炭素と共有結合している。炭素原子中の 4 個の価電子
が 2s 軌道の電子 1 個と 2p 軌道の電子 3 個を用いて結合し、sp3 混成軌道を形成し、正
四面体構造となる。その結合角は 109.5°というゆがみのない理想的な形をしているために非
常に安定で壊れにくい。この結晶構造に起因してダイヤモンドは特有の性質を示す。ダイ
ヤモンドは地球上の物質の中で最も硬く、銅の約 5 倍の高い熱伝導率を示し、高い屈折率
を有する絶縁性の物質である 1)。
表1

ダイヤモンドの性質 1)

密度

3.515 g/cm3

熱伝導率

2000~2300 W/m・K

熱膨張率(25~200℃)

0.8~1.2×10-6 /K

バンドギャップ

5.45 eV

電気抵抗率

> 1014 Ωcm

ヤング率

1050 GPa

ビッカース硬さ

7600~11500

摩擦係数(空気中)

0.05~0.15

屈折率(波長 10μm)

2.376

1.3

ダイヤモンドの合成法

ダイヤモンドは炭素のみで構成されていることが発見されたのち、安価な炭素材料を用
いてダイヤモンドの人工合成が試みられてきた。1955 年に米 GE 社 F. P. Bundy らが合成ダ
イヤモンド作り上げ、世界初の成功例として Nature 誌において発表した 2)。この成果は、
1920 年代にはすでに知られていた炭素に高温と高圧をかけることによってダイヤモンドが
得られるという知見に沿ったものであり、高温高圧法(High Pressure High Temperature:HPHT)
と呼ばれる。今日では年間数十億カラットのダイヤモンドが主に産業用途向けに、高温高
圧法で製造されている 3)。この方法は原料となるグラファイト等をチャンバーにいれ、プレ
ス装置で非常に高い圧力と温度をかけることで、立方体および八面体の面の組み合わせを
持つ人工ダイヤモンドの結晶が生成される。

6

図 1-1 高温高圧法によるダイヤモンド合成の概略図
もう一つの有力なダイヤモンドの製法が化学気相堆積法(Chemical Vapor Deposition:CVD)
である。この方法は天然ダイヤモンドの形成方法と全く異なる。 CVD 法では、非常に低い
圧力の真空チャンバー内で、炭化水素ガス(通常はメタン)と水素との加熱混合物が原料
として用いられる。 気相からダイヤモンドを成長させるには、基板上の原料ガスをイオン
化し非平衡状態にする必要がある。これらは、原料ガスをヒーター、マイクロ波、燃焼炎
等により活性化することにより行われる。CVD 法は、この活性化の方法によりホットフィ
ラメント(Hot-filament)CVD 法、プラズマ(Plasma)CVD 法、燃焼炎(Combustion)CVD
法 の 3 法に分類され、特にプラズマ CVD 法は反応炉の中で電極を用いない方法の一つ
であり電極からの不純物の混入が無く、再現性良く安定に長時間の合成が可能な利点を持
っている。CVD 法によるダイヤモンドの核発生と成長機構は様々なものが提案されている
が、そのメカニズムはまだ不明な点が多い。ただし合成中の様々な原料ガスからの組成分
析などの実験結果から、炭化水素系の気相中に H、H2、CH、C2、そして CH3、C2H2 等の
多くの活性種の存在が確認されており、特に気相中の CH3 ラジカルが成長に起因する反応
種と考えられており、この時水素原子が媒介してダイヤモンドが成長すると考えられてい
る。このため通常の CVD 法では、炭素を含有するガス を多量の水素で希釈した混合ガス
が使用され、実際この混合比により成長速度、結晶サイズ、品質が変化することがわかっ
ている 4)。

7

1.4

ナノダイヤモンド

工業用ダイヤモンドはその硬度を生かして研磨剤や切削工具向けに幅広く使われてきた
歴史がある。そして近年新たな研究対象としてナノダイヤモンド(ND)に大きな注目が集
まっている。ND は単にダイヤモンドの特徴をもった小さなダイヤモンドというだけでなく、
想像の範囲を超えた特性、機能を発現するためである。一般的に ND の製法として、HPHT
法や CVD 法から合成されたバルクナノダイヤモンドを機械的に砕解する方法 5)および爆薬
を密閉容器内で爆発させることで得られる爆轟法があり、製法によってダイヤモンド構造
と性状が異なることが知られている。

1.5

爆轟法ナノダイヤモンド開発の歴史

爆轟法ナノダイヤモンドは 1960 年代の旧ソ連で発見された。金属の球状容器の中に炭素
源としてグラファイトを充填し、その周囲に爆薬を配置し起爆させ、グラファイトからダ
イヤモンドへの相転移に必要なエネルギーを爆薬によって供給するコンパクション法が
1962 年に開発された。これがナノダイヤモンドの合成に成功した最初の例とされる 6)。し
かし、当時すでに知られていた炭素源に機械的に圧力と温度を加えてダイヤモンドを得る
HPHT 法と比較して、圧力と温度の供給源が機械から爆薬に変わったのみであり生成メカニ
ズムそのものは新しくなかった。また世界最初のナノダイヤモンド製造の成功例とされる
が、合成方法が HPHT 法と似ていることから推測して「一桁ナノメートルサイズ」のナノ
ダイヤモンドが得られていたかどうか疑問が残る。続いて爆薬を用いたナノダイヤモンド
製法の研究がなされ、グラファイトを爆薬に直接添加した爆薬作製し起爆することで、ナ
ノダイヤモンドが得られることが確認された 6)。 ...

この論文で使われている画像

参考文献

1) M. Aoyanagi, et al., Synthesiology, Vol. 9, No. 1(2016).

2)傳田精一著, 半導体の 3 次元積層技術, CQ 出版社

3) D. Malta, Handbook of 3D Integration, Volume 3: 3D Process Technology (Wiley, Hoboken, NJ,

2014), chap. 5, p. 65.

4) 傳田精一, 貫通電極とめっき技術,

Electrochemistry, 79 巻 3 号 (2011).

5) A. Radisic, O. Lühn, H. G. G. Philipsen, Z. E. Mekki, M. Honore, S. Rodet, S. Armini, C.

Drijbooms, H. Bender, and W. Ruythooren, Microelectron. Vol. 88, Issue 5, 701-704, (2011).

6) Y. Guan, Q. Zeng, and J. Chen, 18th Int. Conf. on Electronic Packaging Technology, 2017.

7) R. Furuya, C. Fan, O. Asai, and K. Suzuki, IEEE 63rd Electronic Components and Technology

Conf. (2013).

8) W.-P. Dow, H.-H. Chen, M.-Y. Yen, W.-H. Chen, K.-H. Hsu, P.-Y. Chuang, H. Ishizuka, N.

Sakagawa, and R. Kimizuka, J. Electrochem. Soc. 155, 750 (2008).

9) 電気鍍金研究会編, 現代めっき教本, 日刊工業新聞社 (2011).

10) M. Stangl, M. Lipták, A. Fletcher, J. Ackerad, J. Thomas, H. Wendrock, S. Oswald, and K.

Wetzig, Microelectron. Eng. 85, 534 (2008).

11) M. Stangl and M. Militzer, J. Appl. Phys. 103, 113521 (2008).

12) W. Feng, N. Watanabe, H. Shimamoto, M. Aoyagi, and K. Kikuchi, ADMETA Plus, p. 120

(2019).

13) H. Matsubara, J. Surf. Finishing Soc. Jpn. 65, 88 (2014), [in Japanese].

14) T. Yoshikawa, V. Zuerbig, F. Gao, R. Hoffmann, C. E. Nebel, O. Ambacher, and V. Lebedev,

Langmuir 31, 5319 (2015).

15) M. Nishikawa, H. Takeuchi, and N. Matsuno, Japan Patent 101382 (2017).

16) L. Zhao, Y. Nakae, H. Qin, T. Ito, T. Kimura, H. Kojima, L. Chan, and N. Komatsu,

Angew. Chem. Int. Ed. 50, 1388 (2011).

17) L. Zhao, Y.-H. Xu, T. Akasaka, S. Abe, N. Komatsu, F. Watari, and X. Chen, Biomaterials

35, 5393 (2014).

18) N. Komatsu and L. Zhao, in Carbon Nanoparticles and Nanostructures, 139-159, ed. N. Yang, X.

Jiang, and D.- W. Pang, (Springer, Cham, 2016).

19) N. Komatsu and M. Ito, Japan Patent 5275088 (2013).

20) N. Komatsu and M. Ito, Japan Patent 080805 (2012).

21) Y. Kotani, Kyoto Municipal Institute of Industrial Technology research paper, No. 5 (2015).

48

4章

4.1

結言

イノベーション・ストラテジー研究

DND のメーカーが複数存在し市場が立ち上がろうとする中で、競争優位性を構築し事業

化を成し遂げることを目的に「事業」「技術」「知財」「財務」の観点で各戦略を検討した。

事業戦略の中で基本的な方針と先進的なイノベーション・アイデアの候補を得て、それら

のヘルスケア分野におけるポテンシャルを確認した。技術戦略、知財戦略、財務戦略の中

で具体化を検討し基本方針を得た。それら成果の概要をイノベーション・ストラテジー研

究成果書にまとめ、本論文ではその概要を記載した。

4.2

科学技術研究

イノベーションアイデアの一つとして、TSV 配線への応用を念頭においた銅めっきと

DND の複合化に取り組んだ。成果として、銅めっき表面の平滑化を達成し TSV ビアフィリ

ング用銅めっき添加剤として良好な結果が得られ、実験データと考察による学術的貢献の

根拠が示されたことで英文論文誌に掲載された。社会実装に向けて類似の機能を謳う既存

製品との差別化ならびに実用に近い TSV パターンでの技術検証が期待される。

当社固有材料の創出では、その蛍光発光特性と多くの生体材料に匹敵する非常に小さい

サイズを持ち、バイオイメージングやバイオセンシングなどのさまざまなアプリケーショ

ンへの応用が期待される SiV-DND の合成に取り組んだ。しかし、1 桁のナノメートルサイ

ズでこの材料が創出された前例はなく非常に難しい技術課題とされていたが、鋭意検討を

行うことで 2019 年に世界で初めて<10nm サイズの SiV-DND の合成に成功し学術的貢献が

認められて英文論文誌に掲載された。

4.3

今後の展望

新規創出され、ヘルスケア分野における応用可能性が示された一桁ナノサイズの

SiV-DND について社会実装を目指した取組みを進める。既に着手している医療用電子デバ

イスや生体情報センシングへの応用に向けた初期的技術検証を着実に進め、本論文で検討

した基本方針に沿って、戦略的企業連携を進めて人の未来に貢献するシステム構築を目指

していく。

49

謝辞

ナノダイヤモンドの事業化を目指すにあたり、神戸大学大学院科学技術イノベーション

研究科において第一期生として研究を行い、論文を纏める機会を頂いたことに御礼申し上

げます。入学後、先端 IT 分野の永田真教授にはナノダイヤモンドの電子デバイス分野への

応用に向けて、常に前向きに可能性を示し続けて下さり、学位論文を纏め終えるまで終始

丁寧なご指導を賜りました。また先端医療学講座の青井貴之教授には、ナノダイヤモンド

の医療分野への応用に向けて新しい可能性と開発方針を示して頂きました。

そしてアントレプレナーシップ分野において、山本一彦教授、幸田徹特命教授には基本

知識からイノベーション・ストラテジー研究成果書をまとめるまで、細部にわたり大変熱

意溢れる指導を頂きました。また財務戦略の作成では三宅秀昭特命准教授、鈴木篤先生に

ご指導いただきました。先生方に出会いご指導いただくことで、大変有意義で刺激のある

研究生活をおくることができました。心より感謝申し上げます。

本論文は著者が株式会社ダイセルにおいて 2012 年から携わってきた研究をベースとして

まとめた報告です。イノベーション・パーク所長

髙橋郁夫氏、主席研究員

新井

隆氏

は私がこのテーマを持って神戸大学への入学することを後押しして下さいました。また私

が所属する部署の上司である伊藤久義氏、梅本浩一氏、西川正浩氏は私の大学進学につい

て理解を示して下さるだけでなく修了まで多大な力添えを頂きました。また同僚の岸野吉

記氏、幸内貴志氏、劉

明氏、牧野有都氏、鶴井明彦氏、吉川太朗氏は結果が出ず苦しい

時も共に研究を進めてくれました。皆様のご理解とご支援をいただくことで日常の業務と

学生生活を両立させることができました。感謝いたします。

最後に、私と共に暮らし家庭生活の全てにおいて私を支えてくれた妻と息子達に心より

感謝します。特に妻の支えなく日常の業務を行いつつ大学に通い論文を纏めることは叶わ

ず、その支援は多大なものでした。

50

研究業績

■本論文を構成する学術発表

学術論文

1) Tomoaki Mahiko, Taro Yoshikawa, and Makoto Nagata: Development of electro-copper plating

with nanodiamonds for electronic interconnects in advanced packaging. Japanese Journal of Applied

Physics, 59, SLLD04 1-7, 2020.

国際会議

2) Tomoaki Mahiko and Makoto Nagata, "Development of novel Cu electroplating for electronic

interconnects in advanced packaging," in Proceedings of the 29th Asian Session of Advanced

Metallization Conference 2019 (ADMETAplus 2019), P-5 (poster presentation), pp. 47-48, Oct.

2019. (Tokyo).

51

■その他の学術発表

学術論文

3) Yuto. Makino¶, Tomoaki. Mahiko¶, Ming Liu, Akihiko Tsurui, Taro Yoshikawa, Shinji Nagamachi,

Shigeru Tanaka, Kazuyuki Hokamoto, Masaaki Ashida, Masanori Fujiwara, Norikazu Mizuochi,

Masahiro Nishikawa, “Straightforward Synthesis of Silicon Vacancy (SiV) Center-containing

Single-digit Nanometer Nanodiamonds via Detonation Process”. Diamond and Related Materials,

Vol. 112, 108248 (2021).

These authors contributed equally to this work.

https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108248

国際会議

4) T. Mahiko, Y. Hidaka D. Ishimoto, Y. Kishino, T. Kouuchi, and T. Ina, “Introducing Daicel’s

activities related to detonation nanodiamonds”, in Proceedings of the XIV International Symposium

on Explosive Production of New Materials : Science, Technology, Business and Innovations. 2018

(EPNM 2018), pp. 138-139, May 2019. (Saint Petersburg, Russia).

5) T. Mahiko, Y. Makino, M. Liu, A. Tsurui, and M. Nishikawa, “Hetero Atom Doping of Detonation

Nanodiamonds by Detonation Process”, accepted oral presentation for the 2020 MRS Spring

Meeting, April 13 - 17, 2020 at the Phoenix, Arizona.

6) T. Mahiko, Y. Makino, M. Liu, A. Tsurui, and M. Nishikawa, “Creation of Silicon Vacancy (SiV)

Center-containing Nanodiamonds by Detonation Process”, accepted oral presentation for the 14th

International Conference on New Diamond and Nano Carbons, NDNC 2020 at Kanazawa, Japan.

52

国内会議

5) 牧野有都,間彦智明,劉 明,吉川太朗,長町信治,田中茂,外本和幸,芦田昌明,藤原

正則,水落憲和,西川正浩, “爆轟法を用いた SiV 中心含有ナノダイヤモンドの合成”. Japan

New Diamond Forum 2021, Feb. 2021.

解説記事

6) 間彦智明, “爆薬を原料として生成するナノダイヤモンド”. EXPLOSION, Vol. 29, No. 2,

97-99 (2019).

53

神戸大学

提出日

博士論文「爆轟法ナノダイヤモンドの産業応用を目指した材料の開発」全 53 頁

2021 年 1 月 26 日

本博士論文が神戸大学機関リポジトリ Kernel にて掲載される場合、掲載登録日(公開日)

はリポジトリの該当ページ上に掲載されます。

©間彦

智明

本論論文の内容の一部あるいは全部を無断で複製・転載・翻訳することを禁じます。

本論文に基づく学位審査にあたっては、以下の参考論文とともに審査された。

1) 間彦智明, 爆轟法ナノダイヤモンドの開発とその事業化の可能性,

イノベーション・ス

トラテジー研究成果書, 1-66 (2021).

2) Yuto. Makino¶, Tomoaki. Mahiko¶, Ming Liu, Akihiko Tsurui, Taro Yoshikawa, Shinji Nagamachi,

Shigeru Tanaka, Kazuyuki Hokamoto, Masaaki Ashida, Masanori Fujiwara, Norikazu Mizuochi,

Masahiro Nishikawa, “Straightforward Synthesis of Silicon Vacancy (SiV) Center-containing

Single-digit Nanometer Nanodiamonds via Detonation Process”. Diamond and Related Materials,

Vol. 112, 108248 (2021).

These authors contributed equally to this work.

https://doi.org/10.1016/j.diamond.2021.108248

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